[发明专利]制作不同电阻值的轻掺杂漏极的方法

权利要求书

1.一种制作不同电阻值的轻掺杂漏极的方法，其特征是：该方法包含有下列步骤：

提供一半导体晶片，且该半导体晶片的基底上包含有一第一主动区域以及一第二主动区域设于该基底上；

于该第一主动区域以及该第二主动区域上分别形成一第一栅极以及一第二栅极；

进行一第一离子布植制程，以对该第二主动区域的该基底表面植入第一导电形式的掺质；以及

进行一第二离子布植制程，以对该第一主动区域的该基底表面植入第二导电形式的掺质，并对该第二主动区域的该基底表面植入第二导电形式的掺质；

活化各该导电形式的掺质，以分别于该第一栅极以及该第二栅极周围形成一第一轻掺杂漏极以及一第二轻掺杂漏极，且该第一轻掺杂漏极以及该第二轻掺杂漏极分别具有不同的电阻值。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是：该第一导电型式以及第二导电型式为相反的导电形式。

3.如权利要求2所述的方法，其特征是：该第一导电型式为N型，而该第二导电型式为P型。

4.如权利要求2所述的方法，其特征是：该第一导电型式为P型，而该第二导电型式为N型。

5.如权利要求1所述的方法，其特征是：该半导体晶片的该基底上另包含有一第三主动区域以及一第三栅极设于该第三主动区域的该基底上，且该第三栅极的栅极氧化层的厚度大于该第一栅极以及该第二栅极的栅极氧化层的厚度。

6.如权利要求5所述的方法，其特征是：该第一离子布植制程同时对该第三主动区域的该基底表面植入第一导电形式的掺质，用来于该第三栅极周围形成一第三轻掺杂漏极。

7.一种增加驱动晶体管对存取晶体管的单胞比的方法，其特征是：该方法包含有下列步骤：

提供一半导体晶片，且该半导体晶片的基底上包含有一第一主动区域以及一第二主动区域设于该基底上；

于该第一主动区域以及该第二主动区域的该基底上分别形成该驱动晶体管的栅极以及该存取晶体管的栅极；以及

于该第一主动区域以及该第二主动区域的该基底上分别形成该驱动晶体管的轻掺杂漏极以及该存取晶体管的轻掺杂漏极，且该驱动晶体管的轻掺杂漏极的电阻值小于该存取晶体管的轻掺杂漏极的电阻值。

8.如权利要求7所述的方法，其特征是：形成该驱动晶体管的该轻掺杂漏极以及该存取晶体管的该轻掺杂漏极的方法另包含有下列步骤：

进行一第一离子布植制程，以对该第二主动区域的该基底表面植入第一导电形式的掺质；以及

进行一第二离子布植制程，以对该第一主动区域的该基底表面植入第二导电形式的掺质，并对该第二主动区域的该基底表面植入第二导电形式的掺质；

活化各该导电形式的掺质，以分别形成该驱动晶体管的该轻掺杂漏极以及该存取晶体管的该轻掺杂漏极。

9.如权利要求8所述的方法，其特征是：该第一导电型式以及第二导电型式为相反的导电形式。

10.如权利要求9所述的方法，其特征是：该第一导电型式为N型，而该第二导电型式为P型。

11.如权利要求9所述的方法，其特征是：该第一导电型式为P型，而该第二导电型式为N型。

12.如权利要求8所述的方法，其特征是：该半导体晶片另包含有一第三主动区域设于该基底上，且该第三主动区域为一用来形成一输出/输入(I/O)晶体管的预定位置。

13.如权利要求12所述的方法，其特征是：该第一离子布植制程同时对该第三主动区域的该基底表面植入第一导电形式的掺质，用来形成该输出/输入(I/O)晶体管的轻掺杂漏极。

14.如权利要求12所述的方法，其特征是：该输出/输入(I/O)晶体管的栅极氧化层的厚度大于该驱动晶体管以及该存取晶体管的栅极氧化层的厚度。