[发明专利]交叉点二极管存储器阵列的并行访问有效

专利信息
申请号: 02122441.2 申请日: 2002-06-05
公开(公告)号: CN1399275A 公开(公告)日: 2003-02-26
发明(设计)人: C·陶斯;R·埃尔德 申请(专利权)人: 惠普公司
主分类号: G11C8/00 分类号: G11C8/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王勇,王忠忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据本发明的原理,提供了用于寻址一个交叉点存储器阵列,该阵列具有来自于第一和第二组地址线的第一和第二组电极。该寻址电路具有在所述第一组地址线和所述第一组存储器阵列电极之间的第一二极管连接,其中第一二极管连接把第一组中的每个存储器阵列电极连接到第一组地址线的一个相应唯一子集。在第二组地址线和第二组存储器阵列电极之间提供了第二二极管连接,该第二二极管连接把第二组中的每个存储器阵列电极连接到第二组地址线的一个相应唯一子集。至少一条读出线也具有到第一组存储器阵列电极及/或第二组存储器阵列电极中每一个的二极管连接。
搜索关键词: 交叉点 二极管 存储器 阵列 并行 访问
【主权项】:
1.一种用于寻址一个交叉点存储器阵列的寻址电路,其中该存储器阵列具有来自于第一和第二组地址线的第一和第二组电极,该寻址电路包含:在所述第一组地址线和所述第一组存储器阵列电极之间的第一二极管连接,其中所述第一二极管连接把在第一组中的每个存储器阵列电极连接到第一组地址线的一个相应唯一子集;在所述第二组地址线和所述第二组存储器阵列电极之间的第二二极管连接,所述第二二极管连接把在第二组中的每个存储器阵列电极连接到第二组地址线的一个相应唯一子集;以及至少一条读出线,具有到第一组存储器阵列电极及/或第二组存储器阵列电极中每一个的二极管连接。
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