[发明专利]交叉点二极管存储器阵列的并行访问有效
| 申请号: | 02122441.2 | 申请日: | 2002-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN1399275A | 公开(公告)日: | 2003-02-26 |
| 发明(设计)人: | C·陶斯;R·埃尔德 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
| 主分类号: | G11C8/00 | 分类号: | G11C8/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,王忠忠 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 交叉点 二极管 存储器 阵列 并行 访问 | ||
1.一种用于寻址一个交叉点存储器阵列的寻址电路,其中该存储器阵列具有来自于第一和第二组地址线的第一和第二组电极,该寻址电路包含:
在所述第一组地址线和所述第一组存储器阵列电极之间的第一二极管连接,其中所述第一二极管连接把在第一组中的每个存储器阵列电极连接到第一组地址线的一个相应唯一子集;
在所述第二组地址线和所述第二组存储器阵列电极之间的第二二极管连接,所述第二二极管连接把在第二组中的每个存储器阵列电极连接到第二组地址线的一个相应唯一子集;以及
至少一条读出线,具有到第一组存储器阵列电极及/或第二组存储器阵列电极中每一个的二极管连接。
2.如权利要求1所述的寻址电路,其特征在于:就该存储器阵列电极和地址线而论,第一二极管连接中的二极管元件与第二二极管连接中的二极管元件方向不同。
3.如权利要求2所述的寻址电路,其特征在于:第一二极管连接包含这样的二极管元件,其阳极与相应的存储器阵列电极相连,阴极连接到相应的地址线;而且第二二极管连接包含这样的二极管元件,其阴极连接到相应的存储器阵列电极,阳极连接到相应的地址线。
4.如权利要求1所述的寻址电路,其特征在于:该交叉点存储器阵列包含一个在来自于所述第一和第二组的电极的交叉点处形成的、基于二极管的存储单元阵列,所述电极的末端通过相应的电阻元件连接到电源连接。
5.如权利要求4所述的寻址电路,其特征在于:该电源在电源带组中布置以允许电源被有选择地提供给该交叉点阵列的某些部分。
6.如权利要求1所述的寻址电路,其特征在于:多个交叉点存储器阵列的每一个都具有相应的第一二极管连接、第二二极管连接以及至少一条读出线,而且地址线与多个第一和第二二极管连接并行连接。
7.如权利要求1所述的寻址电路,包含第一和第二读出线,第一读出线具有到所述第一组存储器阵列电极中每一个的二极管连接,而第二读出线具有到所述第二组存储器阵列电极中每一个的二极管连接。
8.一个集成电路,包含一个交叉点二极管存储器阵列以及如权利要求1所述的一个寻址电路。
9.一个集成电路,包含多个交叉点二极管存储器阵列以及如权利要求6所述的一个寻址电路。
10.如权利要求8所述的集成电路,其特征在于:该交叉点存储器阵列以及寻址电路在同一个制造过程中形成。
11.一个存储器电路,包含:
一个交叉点存储器阵列,其具有第一和第二组横向电极以及在第一和第二组电极交叉点处形成的相应存储单元,每个存储单元包含在它的至少一个二元状态中的一个二极管元件;以及
一个寻址电路,包含:
一个第一组地址线,其具有在所述第一组地址线和所述第一组存储器阵列电极之间的第一二极管连接,其中所述第一二极管连接把在第一组中的每个存储器阵列电极连接到第一组地址线的一个相应唯一子集;
一个第二组地址线,具有在所述第二组地址线和所述第二组存储器阵列电极之间的第二二极管连接,所述第二二极管连接把在第二组中的每个存储器阵列电极连接到第二组地址线的一个相应的唯一子集;以及
至少一条读出线,具有到第一组存储器阵列电极及/或第二组存储器阵列电极中每一个的二极管连接。
12.如权利要求11所述的存储器电路,其特征在于:就该存储器阵列电极和地址线而论,第一二极管连接中的二极管元件与第二二极管连接中的二极管元件方向不同。
13.如权利要求11所述的存储器电路,其特征在于:该存储器阵列电极的末端通过相应的电阻元件和电源连接相连,其中该电源连接被布置在电源带组中以允许电源被有选择地提供给部分的该交叉点阵列。
14.如权利要求11所述的、包含多个交叉点存储器阵列和相应的寻址电路的存储器电路,其特征在于:来自相应寻址电路的地址线被并行连接。
15.如权利要求11所述的存储器电路,其特征在于:该寻址电路包含第一和第二读出线,第一读出线具有到所述第一组存储器阵列电极中每一个的二极管连接,而第二读出线具有到所述第二组存储器阵列电极中每一个的二极管连接。
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