[发明专利]磁记录元件、磁存储器、磁记录方法、用于制作磁记录元件的方法以及用于制作磁存磁存储器的方法无效
| 申请号： | 02120239.7 | 申请日： | 2002-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1387195A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 武笠幸一;泽村诚;末岡和久;廣田榮一;中根了昌;中村基训 | 申请（专利权）人： | 北海道大学 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁记录元件,由通过外部磁场用来生成旋转涡流的第一磁膜和具有垂直其表面的磁化的第二磁膜组成,以及在第一磁膜和第二磁膜间形成的,通过该磁记录元件用来控制(抑制)电流的一绝缘层。指定外部磁场被施加到该磁记录元件以便在第一磁膜上生成旋转涡流并因此在旋转涡流的中央生成垂直磁化。然后,指定数据被写入在该垂直磁化上。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 元件 磁存储器 方法 用于 制作 以及 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录元件，包括：第一磁膜，用于通过外部磁场生成旋转涡流，以及第二磁膜，在所述第一磁膜上，在其中央具有实质上垂直于其表面的磁化。
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