[发明专利]磁记录元件、磁存储器、磁记录方法、用于制作磁记录元件的方法以及用于制作磁存磁存储器的方法

权利要求书

1.一种磁记录元件，包括：

第一磁膜，用于通过外部磁场生成旋转涡流，以及

第二磁膜，在所述第一磁膜上，在其中央具有实质上垂直于其表面的磁化。

2.如权利要求1所述的磁记录元件，其中所述第一磁膜以圆盘形形成。

3.如权利要求1所述的磁记录元件，其中所述第一磁膜由坡莫合金组成。

4.如权利要求1所述的磁记录元件，其中所述第一磁膜的直径被设置在0.05-50μm范围内。

5.如权利要求1所述的磁记录元件，其中所述第一磁膜的厚度被设置为1μm或以下。

6.如权利要求1所述的磁记录元件，其中所述第二磁膜由Co组成。

7.如权利要求1所述的磁记录元件，其中所述第二磁膜的厚度被设置为1μm或以下。

8.如权利要求1所述的磁记录元件，进一步包括在所述第一磁膜和所述第二磁膜之间的绝缘膜。

9.如权利要求8所述的磁记录元件，其中所述绝缘层的厚度设置在1-10nm范围内。

10.一种磁存储器，包括如权利要求1-9中任何一个所述的多个磁记录元件，所述多个磁记录元件被配置在平面中一指定基片上。

11.如权利要求10所述的磁存储器，进一步包括配置一些导线以便分别环绕所述磁记录元件。

12.一种磁记录方法，包括步骤：

在平面中在一指定基片上配置多个如权利要求1-9中任何一个所述的磁记录元件，

在所述基片上配置许多导线以便分别环绕所述磁记录元件，

在正向方流，并因此在至少一个所述磁记录元件中生成一正向磁化，以及

在所述正向磁化上可磁化地写入指定数据。

13.如权利要求12所述的磁记录方法，进一步包括步骤：

在所述至少一根导线中在与所述正向方向相反的反向方向中流过电流，以便生成反向向后的旋转涡流并因此在所述至少一个磁记录元件中生成反向的磁化，该磁化与所述正向的磁化相反，以及

在所述反向磁化上可磁化地重新写入所述已经写入的数据。

14.一种用于制作磁记录元件的方法，包括步骤：

在指定基片上均匀地形成电阻膜，

暴露并扩展所述电阻膜来制作具有孔的抗蚀图，在该孔处，所述基片的主表面被暴露，以及

经所述抗蚀图，依次形成通过外部磁场生成旋转涡流的第一磁膜以及具有垂直于其表面的磁化的第二磁膜，来制作在所述孔内包括所述第一磁膜和所述第二磁膜的磁记录元件。

15.如权利要求14所述的制作方法，进一步包括在所述第一磁膜和所述第二磁膜之间形成一绝缘层的步骤。

16.一种用于制作磁存储器的方法，包括步骤：

在指定基片上均匀地形成电阻膜，

暴露并扩展所述电阻膜，来制作具有多个孔的抗蚀图，在这些孔处，所述基片的主表面被暴露，以及

经所述抗蚀图，依次形成通过外部磁场生成旋转涡流的第一磁膜以及具有在其中央垂直于其表面的磁化的第二磁膜，来分别制作在所述孔内包括所述第一磁膜和所述第二磁膜的多个磁记录元件。

17.如权利要求16所述的制作方法，进一步包括在所述第一磁膜和所述第二磁膜之间形成一绝缘层的步骤。

18.如权利要求16所述的制作方法，进一步包括形成许多导线以便分别环绕所述磁记录元件的步骤。