[发明专利]一种Fe－Ga系磁致伸缩材料及其制造工艺无效
| 申请号： | 02117462.8 | 申请日： | 2002-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1392616A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张茂才;高学绪;周寿增;韩志勇;史振华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L41/20 | 分类号： | H01L41/20 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 吕中强 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于磁性材料领域，材料成分为Fe100－x－yGaxMyQ，其中x=10－40，M为Al、Be、Cr、In、Cd、Mo、Ge，y=0－15，Q为C、N、O附加掺杂，其工艺要点为按所发明材料成分的要求，用磁悬浮炉或真空感应炉冶炼母合金；用高温度梯度快速定向凝固法或提拉法或Bridgeman法制成单晶或多晶取向材料；在1000～1200℃处理1－48小时，随炉冷却至750－600℃，保温0.2－48小时，水淬；或从750－600℃以不同的冷速炉冷至室温；或在炉冷过程中施加500－2000Oe磁场。本发明材料具有;取向单晶或;、;取向多晶织构，饱和磁致伸缩系数λs可达200ppm以上，利于在磁场小于200Oe状况下工作，材料的生产成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fe ga 系磁致 伸缩 材料 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.本发明涉及一种Fe-Ga系磁致伸缩材料，其特征在于材料的成分主要由Ga和Fe组成，Ga的含量为10-40at％，附加掺杂含量为：C＝200-600ppm，N＝200-700ppm，O＝200-800ppm，余量为Fe，材料中Ga成分的优选值为15-25at％。
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