[发明专利]一种Fe-Ga系磁致伸缩材料及其制造工艺无效

专利信息
申请号: 02117462.8 申请日: 2002-05-17
公开(公告)号: CN1392616A 公开(公告)日: 2003-01-22
发明(设计)人: 张茂才;高学绪;周寿增;韩志勇;史振华 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01L41/20 分类号: H01L41/20
代理公司: 北京科大华谊专利代理事务所 代理人: 吕中强
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 fe ga 系磁致 伸缩 材料 及其 制造 工艺
【权利要求书】:

1.本发明涉及一种Fe-Ga系磁致伸缩材料,其特征在于材料的成分主要由Ga和Fe组成,Ga的含量为10-40at%,附加掺杂含量为:C=200-600ppm,N=200-700ppm,O=200-800ppm,余量为Fe,材料中Ga成分的优选值为15-25at%。

2.如权利要求1所述的磁致伸缩材料,其特征在于材料的成分中加入了Al,Al含量为0.01-15at%,Al成分的优选值为0.05-9at%。

3.如权利要求1所述的磁致伸缩材料,其特征在于材料的成分中加入了Be,Be含量为0.01-15at%,Be成分的优选值为0.05-8at%。

4.如权利要求1所述的磁致伸缩材料,其特征在于材料的成分中加入了V,V含量为0.01-15at%,V成分的优选值为0.05-6at%。

5.如权利要求1所述的磁致伸缩材料,其特征在于材料的成分中加入了Cr,Cr含量为0.01-15at%,Cr成分的优选值为0.05-5at%。

6.如权利要求1所述的磁致伸缩材料,其特征在于材料的成分中加入了In,In含量为0.01-15at%,In成分的优选值为0.05-6%at。

7.如权利要求1所述的磁致伸缩材料,其特征在于材料的成分中加入了Cd,Cd含量为0.01-15at%,Cd成分的优选值为0.05-6at%。

8.如权利要求1所述的磁致伸缩材料,其特征在于材料的成分中加入了Mo,Mo含量为0.01-15at%,Mo成分的优选值为0.05-6at%。

9.如权利要求1所述的磁致伸缩材料,其特征在于材料的成分中加入了Ge,Ge含量为0.01-15at%,Ge成分的优选值为0.05-6at%。

10.一种Fe-Ga系磁致伸缩材料制造工艺,其特征在于具体的制造工艺步骤为:

a)将所需的材料清理干净,去除氧化皮并保持干燥状态。

b)按所设计成分进行配料,并加入适量的烧损。

c)用真空感应炉或磁悬浮炉冶炼母合金。先抽真空至10-2pa后再充入400

pa的氬气后再加热,使原材料熔化形成合金,熔清后精炼2-3分钟,

以保证合金成分的均匀性。将精炼后的合金浇注成所需要的园棒。

d)去除合金棒表面的氧化皮和杂质。

e)将清理干净的合金棒用高温度梯度快速凝固法;或提拉法;或Bridgman

法,进行晶体生长,通过调整温度梯度GL与生长速度V的比值得到<100>

或<110>的晶体取向。

f)取向后的材料在1000-1200℃处理1-48小时后,炉冷至750-600℃再

保温0.2-48小时,水淬;或从750-600℃以不同的冷速炉冷至室温;

或在炉冷过程中施加500-2000 Oe磁场。

11.如权利要求10所述的Fe-Ga系磁致伸缩材料制造工艺,其特征在于在晶体织构上:单晶体为<100>取向,多晶体为<100>或<110>取向织构,或两者同时存在,并伴随有其他晶体取向,但以<100>或<110>取向为主。

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