[发明专利]利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备p型ZnO薄膜无效
申请号: | 02113083.3 | 申请日: | 2002-05-31 |
公开(公告)号: | CN1388567A | 公开(公告)日: | 2003-01-01 |
发明(设计)人: | 修向前;张荣;徐晓峰;郑有炓;顾书林;沈波;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;C01G9/02 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备p型ZnO薄膜,先制备Ga或N共掺杂的ZnO胶体溶液,在预先清洗好的Si片或其他衬底(石英玻璃、蓝宝石等)上滴加胶体溶液,以旋转衬底的方式使胶体溶液均匀涂覆,然后将薄膜在室温~100℃下放置一段时间再经过240-300℃的热处理,尔后在500~900℃,氨气气氛下热处理1~5小时。溶胶-凝胶法制备薄膜材料具有技术简单,低耗费,易于获得大面积的薄膜等优点。 | ||
搜索关键词: | 利用 溶胶 凝胶 sol gel 法制 zno 薄膜 | ||
【主权项】:
1、利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备p型ZnO薄膜,其特征是先制备Ga或N共掺杂的ZnO胶体溶液,在预先清洗好的Si片或其他衬底(石英玻璃、蓝宝石等)上滴加胶体溶液,以旋转衬底的方式使胶体溶液均匀涂覆,然后将薄膜在室温~100℃下放置一段时间再经过240-300℃的热处理,尔后在500~900℃,氨气气氛下热处理1~5小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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