[发明专利]一种制备钴硅化物的方法无效
| 申请号： | 02112150.8 | 申请日： | 2002-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1388572A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 胡恒升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/324;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陶金龙,陆飞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 目前的钴硅化物制备工艺通常采用双层金属的办法,即Co/Ti法,通过在Co金属的上方淀积一定厚度的Ti金属,来消除外界条件(如净化室和反应腔体中的氧)和硅片表面天然氧化物对Co形成硅化物的影响。我们在Co的上下分别PVD淀积一层金属,其中上表面的Ti或者TiN可以通过反应或者阻挡作用消除外界条件的影响,而Co下面的Ti可以消除硅片表面天然氧化物的影响。同时为了消除下面Ti较厚时,导致外延生长的缺点,在淀积硅片表面一层Ti金属时对厚度有严格的要求,就是不能影响Co与硅的反应,不能导致外延生长,所以一般要求在2nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 钴硅化物 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备钴硅化物的方法，其特征在于在硅衬底表面PVD淀积Ti/Co/Ti或者Ti/Co/TiN这样的三文治结构，以形成低电阻的CoSi2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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