[发明专利]一种制备钴硅化物的方法无效
| 申请号： | 02112150.8 | 申请日： | 2002-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1388572A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 胡恒升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹(集团)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/324;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陶金龙,陆飞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 钴硅化物 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种制备钴硅化物的方法，其特征在于在硅衬底表面PVD淀积Ti/Co/Ti或者Ti/Co/TiN这样的三文治结构，以形成低电阻的CoSi2。
2、根据权利要求1所述的制备钴硅化物的方法，其特征在于所述最下一层Ti金属的厚度应控制在4纳米以下。
3、根据权利要求1所述的制备钴硅化物的方法，其特征在于具体步骤如下：
(1)通过PVD的方法在经清洁的硅片表面整片依次淀积Ti/Co/Ti(N)三层金属，其中最下层的Ti厚度为1-4nm，中间Co厚度为10-20nm，最上层的Ti(N)厚度为4-8nm；
(2)采用快速热退火的方法，在较低温度；500℃-600℃，形成CoSi；
(3)将不需要的以及未反应的Co金属和Ti(N)金属给腐蚀掉；
(4)通过更高温度：800℃-900℃的快速热退火，形成低电阻的CoSi2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹(集团)有限公司，未经上海华虹(集团)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/02112150.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用中药超微颗粒加工成汤剂的方法
- 下一篇：蜂花粉糕及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
