[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02108726.1 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1379480A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 小林源臣;野崎秀树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包含用于提供PT－IEBT或IEGT结构的第1基极层,该结构包括缓冲层和在缓冲层中提供的集电极层。由在缓冲层中的由SR分析得到的激活的第1导电型杂质浓度[cm－2]/在缓冲层中的由SIMS分析得到的第1导电型杂质浓度[cm－2]定义的第1激活率给定为25%或更大,由在集电极层中的由SR分析得到的激活的第2导电型杂质浓度[cm－2]/在集电极层中的由SIMS分析得到的第2导电型杂质浓度[cm－2]定义的第2激活率给定为大于0%和等于或小于10%。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包含具有第1导电型的第1基极层，所述第1基极层具有第1和第2表面并进一步具有高电阻；具有第2导电型的在所述第1表面上的第2基极层；具有所述第1导电型的在所述第2基极层中的发射极层；通过在位于所述发射极层和所述第1基极层之间的所述第2基极层上面的栅极绝缘膜的栅极电极；具有所述第1导电型并进一步具有高杂质浓度的在所述第2表面中形成的缓冲层；由在所述缓冲层中的由SR分析得到的激活的第1导电型杂质浓度[cm-2]/在所述缓冲层中的由SIMS分析得到的第1导电型杂质浓度[cm-2]定义的第1激活率，该第1激活率为25％或更大；具有所述第2导电型的在所述缓冲层中的集电极层；和由在所述集电极层中的由SR分析得到的激活的第2导电型杂质浓度[cm-2]/在所述集电极层中的由SIMS分析得到的第2导电型杂质浓度[cm-2]定义的第2激活率，该第2激活率大于0％，等于或小于10％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02108726.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：细胞毒性T淋巴细胞
- 下一篇：液晶显示装置及其驱动电路
- 同类专利
- 专利分类
