[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，它包含

具有第1导电型的第1基极层，所述第1基极层具有第1和第2表面并进一步具有高电阻；

具有第2导电型的在所述第1表面上的第2基极层；

具有所述第1导电型的在所述第2基极层中的发射极层；

通过在位于所述发射极层和所述第1基极层之间的所述第2基极层上面的栅极绝缘膜的栅极电极；

具有所述第1导电型并进一步具有高杂质浓度的在所述第2表面中形成的缓冲层；

由在所述缓冲层中的由SR分析得到的激活的第1导电型杂质浓度[cm^-2]/在所述缓冲层中的由SIMS分析得到的第1导电型杂质浓度[cm^-2]定义的第1激活率，该第1激活率为25％或更大；

具有所述第2导电型的在所述缓冲层中的集电极层；和

由在所述集电极层中的由SR分析得到的激活的第2导电型杂质浓度[cm^-2]/在所述集电极层中的由SIMS分析得到的第2导电型杂质浓度[cm^-2]定义的第2激活率，该第2激活率大于0％，等于或小于10％。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中在位于从所述集电极层的表面2μm内的所述缓冲层中的第2导电型杂质的掺杂量为1×10¹⁵cm^-2或更大。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中在从所述集电极层的表面2μm内形成的所述基极层中具有所述缓冲层。

4.根据权利要求3的半导体器件，其中在位于从所述集电极层的表面2μm内的所述缓冲层中的第2导电型杂质的掺杂量为1×10¹⁵cm^-2或更大。

5.一种制造半导体器件的方法，它包含：

制备具有第1导电型并具有第1和第2表面的第1基极层，所述第1基极层具有高电阻；

在第1基极层的所述第1表面上连续地沉积提供栅极绝缘膜的绝缘膜和提供栅极电极的导电膜；

连续地使所述导电膜和所述绝缘膜形成图案，以便部分地露出所述第1表面；

用自对准在露出的第1表面中形成具有第2导电型的第2基极层；

在所述第2基极层中选择地形成具有所述第1导电型的发射极层；

在所述发射极层上形成发射极电极；

将具有所述第1导电型的第1杂质离子注入所述第2表面；

用第1老炼激活所述第1杂质离子，以便在所述第2表面上形成具有高杂质浓度并具有所述第1导电型的缓冲层；将具有所述第2导电型的第2杂质离子注入所述缓冲层；和

用第2老炼激活所述第2杂质离子，以便在所述缓冲层中形成具有上述导电类型的集电极。

6.权利要求5的方法，其中：

由在所述缓冲层中的由SR分析得到的激活的第1导电型杂质浓度[cm^-2]/在所述缓冲层中的由SIMS分析得到的第1导电型杂质浓度[cm^-2]定义的第1激活率，该第1激活率为25％或更大；

由在所述集电极层中的由SR分析得到的激活的第2导电型杂质浓度[cm^-2]/在所述集电极层中的由SIMS分析得到的第2导电型杂质浓度[cm^-2]定义的第2激活率，该第2激活率大于0％，等于或小于10％。

7.权利要求5的方法，其中用于进行第2老炼的温度低于进行第1老炼的温度。

8.权利要求5的方法，其中进行第2老炼的温度低于用于保持钝化的质量的温度。

9.权利要求5的方法，其中所述1是激光老炼，所述2是电炉老炼。

10.权利要求5的方法，其中以使所述的集电极为非晶的剂量将所述2杂质离子注入所述缓冲层。