[发明专利]化学气相沉积设备

摘要

本发明涉及化学气相沉积设备。在该化学气相沉积设备中,可与外部RF电源302相连的RF电源连接部分303安装在腔室300的上部;RF电极板306安装在所述腔室内,所述RF电极板以预定的间隔与所述腔室的内上表面隔开并且以预定的间隔与设置在所述RF电极板下方的喷头309隔开;利用由外部RF电源供给到RF电极板上的电能使等离子体产生在由RF电极板和喷头的上表面之间的间隙所限定的第一缓冲部分310中;喷头在垂直方向上被分成两个部分并且所述两个部分之间的间隔限定了第二缓冲部分316;反应气体被供给到产生有等离子体的第一缓冲部分;以及源气体被供给到第二缓冲部分。

主权项

1.一种化学气相沉积设备，该设备包括下部设有出口的腔室；分别用于将处理气体供给到所述腔室中的源气体导管、反应气体导管和清洁气体导管；具有多个喷射孔的喷头，所述喷射孔用于喷射由导管所供给的处理气体；以及用于支撑晶片或基体并用作预定的加热源的加热器，薄膜沉积于所述晶片或基体上，所述设备的特征在于：可与外部RF电源相连的RF电源连接部分安装在所述腔室的上部；RF电极板安装在所述腔室内，所述RF电极板以预定的间隔与所述腔室的内上表面隔开并且以预定的间隔与设置在所述RF电极板下方的喷头隔开；利用RF杆将RF电源连接部分与RF电极板连接在一起以使电能可从外部RF电源供给到RF电极板上；利用由外部RF电源供给到RF电极板上的电能使等离子体产生在由RF电极板和喷头之间的间隙所限定的缓冲部分中；以及通过设置在缓冲部分下方的喷头将因此所产生的反应气体的游离基喷射到所述晶片或基体上。