[发明专利]化学气相沉积设备

权利要求书

1.一种化学气相沉积设备，该设备包括下部设有出口的腔室；分别用于将处理气体供给到所述腔室中的源气体导管、反应气体导管和清洁气体导管；具有多个喷射孔的喷头，所述喷射孔用于喷射由导管所供给的处理气体；以及用于支撑晶片或基体并用作预定的加热源的加热器，薄膜沉积于所述晶片或基体上，所述设备的特征在于：

可与外部RF电源相连的RF电源连接部分安装在所述腔室的上部；

RF电极板安装在所述腔室内，所述RF电极板以预定的间隔与所述腔室的内上表面隔开并且以预定的间隔与设置在所述RF电极板下方的喷头隔开；

利用RF杆将RF电源连接部分与RF电极板连接在一起以使电能可从外部RF电源供给到RF电极板上；

利用由外部RF电源供给到RF电极板上的电能使等离子体产生在由RF电极板和喷头之间的间隙所限定的缓冲部分中；以及

通过设置在缓冲部分下方的喷头将因此所产生的反应气体的游离基喷射到所述晶片或基体上。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，上绝缘部分安装在所述腔室的内上表面和RF电极板之间。

3.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述缓冲部分是由用于使RF电极板与腔室的内表面绝缘并且将RF电极板与喷头隔开的下绝缘部分限定的。

4.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，利用形成在RF杆周围的RF杆绝缘部分使RF杆与所述腔室电绝缘。

5.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述喷头与所述腔室相连，从而使所述喷头被接地。

6.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于，用于使所述腔室的顶部保持恒温的加热器被安装在所述腔室的顶部上。

7.一种化学气相沉积设备，该设备包括下部设有出口的腔室；分别用于将处理气体供给到所述腔室中的源气体导管、反应气体导管和清洁气体导管；具有多个喷射孔的喷头，所述喷射孔用于喷射由导管所供给的处理气体；以及用于支撑晶片或基体并用作加热源的加热器，薄膜沉积于所述晶片或基体上，所述设备的特征在于：

可与外部RF电源相连的RF电源连接部分安装在所述腔室的上部；

RF电极板安装在所述腔室内，所述RF电极板以预定的间隔与所述腔室的内上表面隔开，并且以预定的间隔与设置在所述RF电极板下方的喷头的上表面隔开；

利用RF杆将RF电源连接部分与RF电极板连接在一起以使电能可从外部RF电源供给到RF电极板上；

利用由外部RF电源供给到RF电极板上的电能使等离子体产生在由RF电极板和喷头的上表面之间的间隙所限定的第一缓冲部分中；

喷头在垂直方向上被分成两个部分，并且所述两个部分之间的间隔限定了第二缓冲部分；

反应气体被供给到产生有等离子体的第一缓冲部分，并接着通过喷头被喷射到晶片或基体上；以及

源气体被供给到第二缓冲部分，并接着通过喷头被喷射到晶片或基体上。

8.如权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于，喷头包括具有多个用于均匀地喷射反应气体和其游离基的喷射管的第一喷头，以及具有多个通孔和多个用于均匀地喷射源气体的喷射孔的第二喷头，多个喷射管穿过所述通孔；所述第一喷头的喷射管安装在所述第二喷头的通孔中。

9.如权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于，至少一个反应气体导管和至少一个清洁气体导管安装在所述第一缓冲部分的一侧并且与所述第一缓冲部分相互连通，至少一个源气体导管和至少一个清洁气体导管安装在所述第二缓冲部分的一侧并且与第二缓冲部分相互连通。

10.如权利要求8所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一缓冲部分是由用于使RF电极板与腔室的内表面绝缘并且将RF电极板与第一喷头隔开的下绝缘部分限定的。

11.如权利要求8所述的化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一喷头与所述腔室相连，从而使所述第一喷头被接地。

12.如权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于，上绝缘部分安装在所述腔室的内上表面和RF电极板之间。