[发明专利]一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置

摘要

一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置，涉及薄膜的制备方法及装置，特别是涉及到利用溅射方法制备薄膜。本发明是在电子能谱仪样品制备室中装有样品基座来制备薄膜，控制样品制备室的本底真空为2×10^-7～8×10^-7Pa，溅射气压为1×10^-4～3×10^-4Pa，薄膜沉积速率1～3/分钟，在单晶Si或玻璃基片上依次沉积所要沉积的薄膜，采用此方法所用装置的主要结构是离子枪(6)相对于样品轰击台(5)的对称方位上安置一样品基座(2)，基片(3)被贴在基座(2)下面，并且垂直于基座(2)平面的中心轴线、样品轰击台(5)的中心轴线以及离子枪(6)的中心轴线在同一平面内。本发明不仅可以制备出均匀、性能明显提高的较薄薄膜，而且制备简单，成本低。

主权项

1、一种冷阴极溅射制备薄膜的方法，溅射靶材原子沉积在基片上，其特征在于，使用在样品制备室装有样品基座的电子能谱仪，先将单晶Si或玻璃基片用有机化学溶剂和去离子水进行超声清洗，通入氩气，利用氩气反复清洗氩气管道，利用氩离子清洗靶材15～60min，控制样品制备室的本底真空为2×10-7～8×10-7Pa，溅射气压为1×10-4～3×10-4Pa，薄膜沉积速率1～3/分钟，在单晶Si或玻璃基片上按照薄膜结构的顺序依次沉积每一个单层。