[发明专利]自适应等离子体表征系统无效
| 申请号： | 02103558.X | 申请日： | 2002-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1369902A | 公开（公告）日： | 2002-09-18 |
| 发明（设计）人： | 大卫·J·考缪 | 申请（专利权）人： | ENI技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用模糊逻辑和神经网络表征等离子体工艺的自适应等离子体表征系统和方法,包括收集输入输出学习数据,输入学习数据基于与控制等离子体工作室的电功率有关的变量并从执行等离子体工艺得到。此方法还包括根据学习数据产生模糊逻辑输入输出隶属函数。此隶属函数能够估计等离子体工艺的输出参数值来表征等离子体工艺。基于神经网络学习算法和输出数据对隶属函数的修正提供了学习能力。于是,多种腐蚀工艺参数都能够以系统自主运行的方式被表征。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 等离子体 表征 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用来表征半导体等离子体工艺的方法，此方法包含下列步骤：收集输入和输出学习数据，此输入学习数据基于与用来控制等离子体腐蚀工作室的电功率有关的变量，并从执行等离子体工艺得到；以及根据学习数据产生模糊逻辑输入和输出隶属函数；所述隶属函数使得能够估计等离子体工艺的输出参数值，致使隶属函数以输出参数表征等离子体工艺。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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