[发明专利]自适应等离子体表征系统

权利要求书

1.一种用来表征半导体等离子体工艺的方法，此方法包含下列步骤：

收集输入和输出学习数据，此输入学习数据基于与用来控制等离子体腐蚀工作室的电功率有关的变量，并从执行等离子体工艺得到；以及

根据学习数据产生模糊逻辑输入和输出隶属函数；

所述隶属函数使得能够估计等离子体工艺的输出参数值，致使隶属函数以输出参数表征等离子体工艺。

2.权利要求1的方法，还包括下列步骤：

基于学习数据而产生簇位置；以及

基于簇位置而产生模糊推理规则；

所述模糊推理规则确定输入和输出隶属函数。

3.权利要求2的方法，还包括下列步骤：

离散学习数据的目标空间；

基于学习数据和预定山形函数而产生簇位置，此簇位置被置于目标空间之中；以及

修正簇位置，直至满足预定的阈值判据，致使修正的簇位置的簇中心与目标空间中的其它数据簇匹配。

4.权利要求3的方法，还包括调整学习数据浓度比较高的目标空间中各个区域的间隔距离的步骤。

5.权利要求3的方法，其中的预定山形函数由下式定义： M ( Nij ) = Σ k e - ( ad ( Nij , S ) ) ]]>

其中，Nij表示位置i和j处的节点；S是取样数据(X(k)，Y(k))；α是学习速率；而d(Nij，S)是Nij与S之间的欧基里德距离函数。

6.权利要求3的方法，还包括下列步骤：

破坏由簇位置确定的山形簇；以及

将修改了的山形函数应用于被破坏的山形簇。