[发明专利]新型硅压阻式压力感测元件及其制造方法有效
| 申请号： | 02101658.5 | 申请日： | 2002-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1433094A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 龚诗钦;王宏达 | 申请（专利权）人： | 亚太优势微系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01L9/02;G01L1/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱黎光,张占榜 |
| 地址： | 台湾省台北市 信义*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种不需温度补偿电路，每边需要三条压阻情况下的半导体压力感测元件及其制造方法，特征是：其压阻掺杂浓度约在1019－1020cm－3，以减小温度的影响；压阻之间的导线(称为内连接导线)以受应力最小的方向制作高掺杂连接导线(约1021cm－3)。而在将压阻连接至外部惠斯登电桥电路的连接线路部分(称为外连接线路)，靠膜片内侧的一端同样制作在受应力最小的方向上，而靠膜片边缘一端的导线，则以垂直膜片的直条导线导出至外部电路，如此可使惠斯登电桥的四个电阻平衡对称，故可降低因电桥阻值差异所造成的零点漂移，以简化讯号处理电路。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 硅压阻式 压力 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体压力感测元件的制造方法，该种半导体压力感测元件是为连接三条压阻的连接导线，其制作方法包含下列步骤：a、提供一硅基板，包含有n型的上表面区域：b、在该硅基板的上表面方形悬浮膜片区域内制作形成每边包含有三条压阻的压阻组合；c、在该硅基板的上表面制作形成内连接导线，使三条压阻可藉由该内连接导线相互导通；d、在该硅基板的上表面制作形成外连接导线，使三条压阻可藉由该外连接导线将讯号导出至金属导线上。
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