[发明专利]制造半导体装置的方法及半导体装置有效
| 申请号： | 02100245.2 | 申请日： | 2002-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1365140A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 真条直宽 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了提高产量,制造半导体装置的方法包含如下步骤形成第一组孔101a,不穿透支持侧硅晶片101;形成底层绝缘膜102;在第一组孔101a中填充铜,从而形成基本连接插脚105a;通过中间绝缘膜109,在支持侧硅晶片101的一个表面一侧上形成半导体膜108;在半导体膜108上形成元件;通过研磨支持侧硅晶片101的另一表面使基本连接插脚105a的底面暴露出来;形成从半导体膜108的元件形成表面延伸到基本连接插脚105的第二组孔111;以及通过在第二组孔中填入第二金属形成辅助连接插脚112a,用于元件与基本连接插脚105a的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包含如下步骤：在支持侧半导体基片的一个表面上形成不穿透该支持侧半导体基片的第一组孔；在支持侧半导体基片表面之一上，也在第一组孔的侧壁和底部上，形成底层绝缘膜；通过在第一组孔中填充第一金属，形成基本连接插脚；经由中间绝缘膜，在支持侧半导体基片的一个表面一侧形成半导体膜；在该半导体膜上形成元件；通过研磨支持侧半导体基片的另一表面，使基本连接插脚的底面暴露出来；形成从半导体膜的元件形成表面延伸到基本连接插脚的第二组孔；以及通过在第二组孔中填充第二金属，形成辅助连接插脚，用于元件与基本连接插脚的电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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