[发明专利]制造半导体装置的方法及半导体装置

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包含如下步骤：

在支持侧半导体基片的一个表面上形成不穿透该支持侧半导体基片的第一组孔；

在支持侧半导体基片表面之一上，也在第一组孔的侧壁和底部上，形成底层绝缘膜；

通过在第一组孔中填充第一金属，形成基本连接插脚；

经由中间绝缘膜，在支持侧半导体基片的一个表面一侧形成半导体膜；

在该半导体膜上形成元件；

通过研磨支持侧半导体基片的另一表面，使基本连接插脚的底面暴露出来；

形成从半导体膜的元件形成表面延伸到基本连接插脚的第二组孔；以及

通过在第二组孔中填充第二金属，形成辅助连接插脚，用于元件与基本连接插脚的电连接。

2.根据权利要求1的制造半导体装置的方法，进一步包含如下步骤：

与形成第一组孔的步骤同时地在支持侧半导体基片的一个表面上形成导线槽；

与形成底层绝缘膜的步骤同时地在导线槽的侧壁和底部上形成一底层绝缘膜；以及

通过对导线槽中填充第一金属，在导线槽中形成基本导线。

3.根据权利要求1的制造半导体装置的方法，进一步包含如下步骤：

在形成底层绝缘膜之后，在底层绝缘膜上形成具有用于小导线的开口部分的导线嵌入绝缘膜；以及

与形成基本连接插脚同时地，通过在用于小导线的开口部分中填充第一金属，形成小导线。

4.根据权利要求1的制造半导体装置的方法，其中形成半导体膜的步骤包含如下步骤：

准备一个元件侧半导体基片，在其上形成中间绝缘膜；

将元件侧半导体基片的中间绝缘膜一侧粘贴在支持侧半导体基片的一个表面一侧上；以及

在元件侧半导体基片被粘贴之后，减小元件侧半导体基片的厚度，从而形成半导体膜。

5.根据权利要求1的制造半导体装置的方法，进一步包含如下步骤：

在形成半导体膜之前，在支持侧半导体基片的一个表面一侧上形成一个用于使表面平坦的绝缘膜；以及

使这个用于使表面平坦的绝缘膜的表面变得平坦。

6.一种制造半导体装置的方法，进一步包含如下步骤：

在支持侧绝缘基片的一个表面上形成不穿透该支持侧绝缘基片的第一组孔；

通过在第一组孔中填充第一金属，形成基本连接插脚；

经由中间绝缘膜，在支持侧绝缘基片的一个表面一侧形成半导体膜；

在该半导体膜上形成元件；

通过研磨支持侧绝缘基片的另一表面，使基本连接插脚的底面暴露出来；

形成从半导体膜的元件形成表面延伸到基本连接插脚的第二组孔；以及

通过在第二组孔中填充第二金属，形成辅助连接插脚，用于元件与基本连接插脚的电连接。

7.根据权利要求6的制造半导体装置的方法，其中形成第一组孔的步骤包括形成一个薄膜的步骤，该薄膜用于增强支持侧绝缘基片与第一金属的粘附性质。

8.根据权利要求6的制造半导体装置的方法，进一步包含如下步骤：

与形成第一组孔的步骤同时地在支持侧绝缘基片的一个表面上形成导线槽；以及

与形成基本连接插脚的步骤同时地，通过在导线槽中填充第一金属，形成基本导线。

9.根据权利要求6的制造半导体装置的方法，进一步包含如下步骤：

在支持侧绝缘基片的一个表面上形成具有用于小导线的开口部分的导线嵌入绝缘膜；以及

与形成基本连接插脚的步骤同时地在用于小导线的开口部分中填充第一金属，从而形成小导线。

10.根据权利要求6的制造半导体装置的方法，其中形成半导体膜的步骤包含如下步骤：

准备一个元件侧半导体基片，在其表面上形成中间绝缘膜；

将元件侧半导体基片的中间绝缘膜一侧粘贴在支持侧绝缘基片的一个表面的一侧上；以及

在元件侧半导体基片被粘贴到支持侧绝缘基片的一个表面一侧上之后，减小元件侧半导体基片的厚度，从而形成半导体膜。