[发明专利]用激光结晶化法加工衬底上半导体薄膜区域的方法和屏蔽投影系统无效
| 申请号： | 01819257.2 | 申请日： | 2001-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1476552A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·S·埃姆 | 申请（专利权）人： | 纽约市哥伦比亚大学托管会 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;B23K26/067;B23K26/06 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宏伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种在样品上加工硅薄膜的方法和系统。尤其是，控制照射束发生器以预定脉冲重复频率发射照射束脉冲。然后将这些照射束脉冲分成第一组光束脉冲和第二组光束脉冲。第一组光束脉冲照射穿过屏蔽，产生出许多子光束。第二组光束脉冲和子光束照射至少一个硅薄膜区域。当第二组光束脉冲和子光束同时照射硅薄膜的这个区域时，子光束和第二组光束脉冲的组合使其具有足以熔化硅薄膜该区域整个厚度的复合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 结晶 加工 衬底 上半 导体 薄膜 区域 方法 屏蔽 投影 系统 | ||
【主权项】：
1.一种加工样品上硅薄膜的方法，包括以下步骤：(a)控制一个照射束发生器以预定重复频率发射照射束脉冲；(b)将照射束脉冲分为第一组分光束脉冲和第二组分光束脉冲；(c)使第一组分光束脉冲照射并至少部分穿过屏蔽，产生多个子光束；(d)提供第二组分光束脉冲和这些子光束入射并照射硅薄膜的至少一个区域，其中，当第二组分光束脉冲和这些子光束同时照射硅薄膜的至少一个区域时，第二组分光束脉冲和这些子光束提供的复合能量足以熔化硅薄膜至少一个被照射区域的整个厚度。
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