[发明专利]用新型精抛光方法加工半导体晶片的方法及其设备无效

专利信息
申请号: 01815643.6 申请日: 2001-08-15
公开(公告)号: CN1460043A 公开(公告)日: 2003-12-03
发明(设计)人: A·格拉贝;M·L·哈勒;A·S·赫尔;M·别洛帕韦利奇;G·D·张;H·F·埃瑞克;辛运标 申请(专利权)人: MEMC电子材料有限公司
主分类号: B24B37/04 分类号: B24B37/04;B24B53/007;H01L21/304;H01L21/306
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 马江立,吴鹏
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体晶片的制造方法,包括提供一个半导体材料锭,从该锭上切片出晶片,以及对晶片进行加工以提高其正面和背面的平行度。一个至少对正面进行加工的精抛光操作是这样进行的:将晶片置于一个第一垫和一个第二垫之间,使晶片的正面和背面相对于第一垫和二垫运动,以保持正面和背面的平行度并至少在晶片的正面完成一个光洁面,以使正面制备成用于制造集成电路。另一方面,晶片由一种清洗液进行清洗,以提高液力润滑。其他还有关于抛光垫的调理以及对抛光后的晶片进行处理的方法。还包括一种用于抛光晶片的设备。
搜索关键词: 新型 抛光 方法 加工 半导体 晶片 及其 设备
【主权项】:
1.一种制造具有正面和背面的半导体晶片的方法,该方法包括以下操作:提供一个半导体材料锭;从该锭上切片出晶片;加工晶片以提高其正面和背面的平行度;以及用下列步骤对正面进行精抛光:a)将晶片定位于一个第一垫和一个第二垫之间,和b)使晶片的正面和背面相对于所述第一垫和第二垫运动,以保持正面和背面的平行度,并至少在晶片的正面生产出一个光洁面,从而使正面在清洗之后被制备成用于集成电路的制造。
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