[发明专利]用新型精抛光方法加工半导体晶片的方法及其设备无效
| 申请号： | 01815643.6 | 申请日： | 2001-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1460043A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | A·格拉贝;M·L·哈勒;A·S·赫尔;M·别洛帕韦利奇;G·D·张;H·F·埃瑞克;辛运标 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B53/007;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立,吴鹏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 抛光 方法 加工 半导体 晶片 及其 设备 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01815643.6/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
