[发明专利]低口径化学机械研磨系统无效
| 申请号： | 01814551.5 | 申请日： | 2001-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1447734A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | M·A·萨尔达纳;J·M·博伊德;Y·戈特基斯;A·A·奥夫查尔茨 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B53/007 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械研磨(CMP)系统(200)。一承载体(206)具有一顶面及一底部区域。所述顶面被设计成固定并旋转一晶片(202)，晶片具有待制备的一或多个已形成的层。还包括一制备头(208)，其被设计成可应用到小于晶片表面整个部分的晶片(202)的至少一部分上。较理想的情况是，该制备头(208)与承载体(206)被构型成沿相反方向旋转。此外，制备头(208)还被构型成在从晶片(202)的中心到晶片(202)边缘以及从晶片(202)的边缘到晶片(202)的中心中的一个方向进行直线移动的同时进行摆动。还包括一用于支持晶片顶面的支持头(212)以及一调整头(210)。 | ||
| 搜索关键词： | 口径 化学 机械 研磨 系统 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨系统(CMP)，包括：一承载体，其具有一顶面及一底部区域，顶面被构型成可固定并旋转一晶片，该晶片具有待制备的一或多个形成的层；以及一制备头，其被构型成可应用到晶片，使得该制备头重叠于小于晶片表面整个部分的晶片表面的至少一部分上。
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