[发明专利]对生长培养基进行灭菌处理或巴氏灭菌处理的方法和装置无效

专利信息
申请号: 01804308.9 申请日: 2001-02-01
公开(公告)号: CN1400911A 公开(公告)日: 2003-03-05
发明(设计)人: 弗朗斯·万登霍夫 申请(专利权)人: 弗朗斯·万登霍夫
主分类号: A61L2/07 分类号: A61L2/07;A01G1/04
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 陈剑华
地址: 比利时里克*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及对基质进行均匀和至少部分灭菌处理或均匀和完全的巴氏灭菌处理。本方法的第一步是,在容器的第一端使基质通过密闭的中空容器的加料面加到容器中。可将弄湿所述基质的液体导入该容器中,该容器还具有对该增湿的基质进行至少部分灭菌处理或巴氏灭菌处理的装置。在第二步中,使该基质通过有界限的输送区,向该机器的前端输送,直到其到达该机器的另一端。第三步,使该基质通过一个输送区,向该容器的后端输送,这样使其回到第一端,该向前端输送的区和向后端输送的区被一个管状间隔物隔开。在返回输送的过程中,可使该基质滚动。根据需要可重复进行第二步和第三步多次,以获得经均匀和至少部分经灭菌处理或均匀和完全巴氏灭菌处理的输送基质。还描述了一种实施该方法的机器。该机器用于对有机基质如种植植物或蘑菇的生长培养基进行灭菌处理或巴氏灭菌处理。
搜索关键词: 生长 培养基 进行 灭菌 处理 方法 装置
【主权项】:
1.一种不连续的亦即分批地对基质进行至少部分灭菌处理或者均匀和完全的巴氏灭菌处理方法,该方法包括:——第一步,将所述基质加到中空容器中,该中空容器具有对所述基质进行至少部分灭菌处理或巴氏灭菌处理的装置;——第二步,旋转该中空容器,并给该基质施加热量,在旋转该容器期间,通过该中空容器中的管状部分将该基质沿第一方向输送到该容器的一端,该管状部分具有第一端和第二端;——第三步,将所述基质从所述管状部分的第二端排入上述旋转着的中空容器中,然后将其在该中空容器中沿着与上述第一方向相反的第二方向输送,直到它到达该管状部分的第一端,沿着第一方向输送的基质和沿着第二方向输送的基质被该管状部分的间隔层分开;——重复进行第二和第三步,对所述基质进行均匀和至少部分灭菌处理或者均匀和完全巴的氏灭菌处理。
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