[发明专利]磁性元件的制造方法无效

专利信息
申请号: 01801954.4 申请日: 2001-04-23
公开(公告)号: CN1386285A 公开(公告)日: 2002-12-18
发明(设计)人: J·B·A·D·范宗 申请(专利权)人: 皇家菲利浦电子有限公司
主分类号: H01F41/04 分类号: H01F41/04;H01F41/14;G11B5/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 陈景峻,叶恺东
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 为了增加存储介质上的信息密度,写入磁方案的磁迹宽度被作得越来越小。这要求具有适当磁通引导的写入磁头。此专利文件中公开的方法提供了这种磁通引导。该方法包括下列步骤淀积足够厚度的一个非磁层(3);非均质地蚀刻该非磁层以便在磁通引导的要求位置形成适宜尺寸的阶跃内壁;淀积一个磁性材料,以便在该内壁上形成一个磁层(9),使得该磁层具有对应于该要求的磁迹宽度的一个厚度;去除不希望的淀积的磁性材料而保持在该内壁上的磁层;淀积一个绝缘材料(19a)以便覆盖该磁层。
搜索关键词: 磁性 元件 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造具有长、宽和高几何参数的一个磁性元件的方法,特征在于下列步骤:-通过材料的除去形成一个非磁层的下凹,具有至少等于将要被制造的该磁性元件的长度的厚度,其下凹具有在将要被制造的该磁性元件的高度方向上延伸的一个竖直内壁部分;-淀积一个磁性材料,以便在该竖直内壁部分上形成一个磁层,其磁层具有与将要被制造的该磁性元件的宽度相关的厚度;-把至少靠近该竖直内壁部分上的所说磁层并且是位在所说磁层外部的淀积的磁性材料去除;-通过淀积一种绝缘材料而覆盖该磁层。
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