[发明专利]磁性元件的制造方法

权利要求书

1.一种制造具有长、宽和高几何参数的一个磁性元件的方法，特征在于下列步骤：

-通过材料的除去形成一个非磁层的下凹，具有至少等于将要被制造的该磁性元件的长度的厚度，其下凹具有在将要被制造的该磁性元件的高度方向上延伸的一个竖直内壁部分；

-淀积一个磁性材料，以便在该竖直内壁部分上形成一个磁层，其磁层具有与将要被制造的该磁性元件的宽度相关的厚度；

-把至少靠近该竖直内壁部分上的所说磁层并且是位在所说磁层外部的淀积的磁性材料去除；

-通过淀积一种绝缘材料而覆盖该磁层。

2.按照权利要求1中要求的一种方法，特征在于，采用基本各向异性蚀刻以便形成该非磁层中的下凹。

3.按照权利要求1中要求的一种方法，特征在于通过淀积一种光敏材料获得该非磁层，其层被曝光和显像，之后去除将要被形成下凹的位置的材料，以便形成该下凹。

4.按照权利要求1中要求的一种方法，特征在于通过淀积对电子束敏感的一种材料而获得该非磁层，其层受到一种电子轰击，之后去除将要被形成下凹的位置的材料，以便形成该下凹。

5.按照权利要求1中要求的一种方法，特征在于该磁层是通过溅射淀积和/或电镀形成的。

6.按照权利要求1中要求的一种方法，特征在于基本采用各向异性蚀刻用于消除淀积材料。

7.一种制造磁头的方法，该磁头具有一个磁头表面并且包括一种传感单元和磁耦合到该传感单元并且端接在该磁头表面的一个磁性元件，该磁性元件被根据在先权利要求中所要求的方法任何之一制造的。

8.按照权利要求7中要求的一种方法，其中在该磁层的形成之后但在磁性材料的除去之前，在从所要制造的该磁头的磁头表面延伸一个距离的一个区域中淀积额外的材料，以便使得在所说的区域中的磁层较厚。

9.按照权利要求7中要求的一种方法，其中的平面化是在由一个非磁层淀积覆膜该磁层以后实现的。

10.按照权利要求7中要求的一种方法，其中在该磁性元件的制造之后提供一个线圈单元，以便形成该传感单元以及一个端接在磁头表面磁极单元、一个形成一个传感间隙的层，该传感间隙层插入在该磁性元件和该磁极单元之间。

11.按照权利要求7中要求的一种方法，其中在该磁性元件的制造之前形成端接在该磁头表面的一个磁极单元以及一个线圈单元，以便形成该传感单元、形成一个传感间隙的一个层，该传感间隙层插入在该磁极单元和该磁性元件之间。

12.一个磁头，由权利要求7至11任意之一中要求的方法制造。