[发明专利]深亚微米互补型金属氧化半导体的交指形状多层电容器结构有效
| 申请号： | 01800844.5 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1386304A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | T·索拉蒂;V·瓦图亚 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L29/92 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋,王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 电容器包含第一层面的导电平行线;至少一个第二个层面的导电平行线,放置在第一层面之上,第一和第二层面的线被安排在垂直的排中;放置在第一和第二层面的导线之间的介电层;至少一个连接每排的线的交点,藉此形成垂直的电容器的平行阵列电容器板;和形成电容器的端子的电相反的节点,平行阵列的垂直电容器板以交替的方式电连接到相对节点以便板有交替的电极性。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 互补 金属 氧化 半导体 形状 多层 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1.电容器(20)包含：第一层面(L1)的导电平行线(22)；至少一个第二个层面(L2)的导电平行线(23)，放置在第一层面(L1)之上，第一和第二层面(L1，L2)的线(22，23)被安排在垂直的排中；放置在第一和第二层面(L1，L2)的导线(22，23)之间的介电层(27)；至少一个连接每排的线(22，23)的交点(30)，藉此形成垂直的电容器的平行阵列电容器板(33)；和形成电容器(20)的端子的电相反的节点(A，B)，平行阵列的垂直电容器板(33)以交替的方式电连接到相对节点(A，B)以便板(33)有交替的电极性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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