[实用新型]片式温度补偿石英晶体振荡器无效
| 申请号: | 01203934.9 | 申请日: | 2001-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN2461205Y | 公开(公告)日: | 2001-11-21 |
| 发明(设计)人: | 阎金凯;张怀方;董维来;杨国勇 | 申请(专利权)人: | 唐山晶源电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H03B5/36 | 分类号: | H03B5/36 |
| 代理公司: | 唐山专利事务所 | 代理人: | 张云和 |
| 地址: | 064000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型涉及移动通讯领域所使用的TCXO产品,特别是一种片式温度补偿石英晶体振荡器。它由陶瓷基座、集成电路裸片、石英晶体振荡器、壳罩等部件组成,该陶瓷基座为层状结构,自上而下第一、二、三层上分别开有方孔,其中第一、二层上的方孔尺寸大于第三层上的方孔尺寸,集成电路裸片放置在上三层的开孔形成的凹槽内,并与第四层表面粘接,石英晶体振荡器设置在第一层的开孔的上方。本实用新型的片式封装结构,使TCXO产品在满足电气指标要求情况下,整体尺寸达到了最小。 | ||
| 搜索关键词: | 温度 补偿 石英 晶体振荡器 | ||
【主权项】:
1、一种片式温度补偿石英晶体振荡器,包括陶瓷基座、集成电路裸片、石英晶体振荡器、壳罩,其特征在于该陶瓷基座为层状结构,自上而下第一、二、三层上分别开有方孔,其中第一、二层上的方孔尺寸大于第三层上的方孔尺寸,集成电路裸片放置在上三层的开孔形成的凹槽内,并与第四层表面粘接,石英晶体振荡器设置在第一层的开孔的上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于唐山晶源电子股份有限公司,未经唐山晶源电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01203934.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。





