[实用新型]片式温度补偿石英晶体振荡器无效
| 申请号: | 01203934.9 | 申请日: | 2001-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN2461205Y | 公开(公告)日: | 2001-11-21 |
| 发明(设计)人: | 阎金凯;张怀方;董维来;杨国勇 | 申请(专利权)人: | 唐山晶源电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H03B5/36 | 分类号: | H03B5/36 |
| 代理公司: | 唐山专利事务所 | 代理人: | 张云和 |
| 地址: | 064000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 温度 补偿 石英 晶体振荡器 | ||
本实用新型涉及移动通讯领域所使用的TCXO产品,特别是一种片式温度补偿石英晶体振荡器。
目前,移动通讯产品日趋小型化,作为其主要零部件的TCXO产品则要求更加小型化。而现有TCXO产品其结构采用将振荡及温度补偿单片IC电路(主动元件)和石英谐振器(被动元件)布置在同一平面中,受上述元器件体积的限制,TCXO产品最小尺寸只能达到9×7×2mm。显然这种结构的TCXO产品已不能满足移动通讯产品领域的小型化和集成化的要求。
本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术中的不足之处,而提供一种通过单片IC、谐振器等元件分层立体布置,使TCXO产品在满足电气指标要求情况下,整体尺寸尽可能小的、封装形式为片状的片式温度补偿石英晶体振荡器。
本实用新型的目的是这样实现的:它由陶瓷基座、集成电路裸片、石英晶体振荡器、壳罩等部件组成,该陶瓷基座为层状结构,自上而下第一、二、三层上分别开有方孔,其中第一、二层上的方孔尺寸大于第三层上的方孔尺寸,集成电路裸片放置在上三层的开孔形成的凹槽内,并与第四层表面粘接,石英晶体振荡器设置在第一层的开孔的上方。
本实用新型提供的TCXO产品与现有TCXO产品相比,由于将IC放置在靠近整个TCXO安装面的下层,晶体振荡器布置在上层而实现了立体布置,使产品体积由原来的9×7×2mm可变为5×7×2mm以下,甚至可达到5×3.2×2mm。
附图图面说明:
图1为本实用新型俯视图。
图2为本实用新型侧视剖面图。
图3为本实用新型安装面的俯视图。
下面结合附图及实施例详述本实用新型。
本实用新型实施例由片式电容或变容二极管1、2、3、IC集成电路裸片4、石英晶体振荡器5、壳罩6、安装面7、陶瓷基座的第一层8、第二层9、第三层10、第四层11、连接线12组成。该陶瓷基座为层状结构,自上而下第一层8、第二层9、第三层10上分别开有方孔,其中第一、二层8、9上的方孔尺寸大于第三层10上的方孔尺寸,这样第三层10在第二层9和第四层11之间形成一个台阶,根据需要在第三层10的台阶上排列一系列的电极,将IC集成电路裸片4放置在上三层的开孔形成的凹槽内,并与第四层11表面粘接,石英晶体振荡器5设置在第一层8的开孔的上方。
根据所选用的IC集成电路的不同型号,本实施例的陶瓷基座的第四层11上设置有与IC集成电路对应的三个片式电容或变容二极管1、2、3。
附图3中的电极A为压控端,B为接地线端,C为电源VDD端,D为TCXO的输出端,E、F、G、H四个电极为向TCXO写入数据用的端子。
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