[发明专利]气体喷射器以及包含该喷射器的蚀刻装置无效
申请号: | 01144821.0 | 申请日: | 2001-12-26 |
公开(公告)号: | CN1365138A | 公开(公告)日: | 2002-08-21 |
发明(设计)人: | 李斗元;金太龙;许鲁铉;崔昶源;崔炳旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜,谷惠敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种气体喷射器,其更能够耐受诸如等离子体蚀刻装置之类的半导体制造装置中的条件。该气体喷射器包括陶瓷材料块形式的主体;和由延伸穿过该陶瓷材料块的第一和第二气体喷射孔形成的气体喷射部分。该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分。第一圆柱形部分比第二圆柱形部分更宽并且更长。气体喷射部分的第一孔延伸穿过陶瓷材料块的第一圆柱形部分,而第二孔延伸穿过第二圆柱形部分,每个第二孔分别从一个相应的第一孔中连续地伸出,并与之同心。第一孔比第二孔更宽并且更长。上述气体喷射器设置在等离子体蚀刻装置的上部。 | ||
搜索关键词: | 气体 喷射器 以及 包含 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
1.一种气体喷射器,包括:陶瓷材料块,该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分,第二圆柱形部分的外径小于第一圆柱形部分的外径,第二圆柱形部分的长度小于第一圆柱形部分的长度;和气体喷射部分,包括穿过所述陶瓷材料块的第一圆柱形部分延伸的第一孔和穿过陶瓷材料块的第二圆柱形部分延伸的第二孔,第二孔的直径小于第一孔的直径,第二孔的轴向长度小于第一孔的轴向长度,每个第二孔分别从一个对应的第一孔中伸出并与第一孔同心。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01144821.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造