[发明专利]集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 01139698.9 | 申请日： | 2001-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1359145A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 吴容哲;秦教英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路衬底包括彼此隔开的第一和第二相邻p型掺杂区。集成电路衬底中的沟槽位于第一和第二相邻p型掺杂区之间。沟槽中的绝缘层具有侧壁,其特征在于,侧壁没有减少集成电路衬底和绝缘层之间的应力的层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：集成电路衬底；在集成电路衬底中彼此隔开的第一和第二相邻p型掺杂区；在第一和第二相邻p型掺杂区之间的集成电路衬底中的沟槽；和在具有侧壁的沟槽中的绝缘层，其特征在于，侧壁上不含有减少集成电路衬底和绝缘层之间的应力的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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