[发明专利]集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

集成电路衬底；

在集成电路衬底中彼此隔开的第一和第二相邻p型掺杂区；

在第一和第二相邻p型掺杂区之间的集成电路衬底中的沟槽；和

在具有侧壁的沟槽中的绝缘层，其特征在于，

侧壁上不含有减少集成电路衬底和绝缘层之间的应力的层。

2.根据权利要求1的集成电路，还包括直接形成在侧壁上的沟槽中的介电材料。

3.根据权利要求1的集成电路，其特征在于，沟槽包括第一沟槽，侧壁包括第一侧壁，绝缘层包括第一绝缘层，集成电路还包括：

在集成电路衬底中彼此隔开的第一和第二相邻n型掺杂区；

在第一和第二相邻n型掺杂区之间的集成电路衬底中的第二沟槽；和

在具有第二侧壁的第二沟槽中的第二绝缘层；和

在第二侧壁上用于减少集成电路衬底和第二绝缘层之间的应力的衬层。

4.根据权利要求3的集成电路，其特征在于，介电材料包括第一介电材料，集成电路还包括：

在第二沟槽中的衬层中的第二介电材料。

5.根据权利要求1的集成电路，其特征在于，侧壁没有氮化硅。

6.根据权利要求3的集成电路，还包括：

集成电路衬底的核心区；

集成电路衬底的外围区；和

集成电路衬底的单元区，与核心区和外围区隔开并具有比核心区和外围区更大的集成电路器件密度，其特征在于，第一沟槽位于外围区和核心区之一中，第二沟槽位于单元区中。

7.根据权利要求1的集成电路，还包括：

集成电路衬底的核心区；

集成电路衬底的外围区；和

集成电路衬底的单元区，与核心区和外围区隔开并具有比核心区和外围区更大的集成电路器件密度，其特征在于，沟槽位于核心区和外围区与单元区之间。

8.根据权利要求1的集成电路，还包括：

集成电路衬底的核心区；

集成电路衬底的外围区；和

集成电路衬底的单元区，与核心区和外围区隔开并具有比核心区和外围区更大的集成电路器件密度，其特征在于，沟槽位于核心区和外围区之一中。

9.一种集成电路，包括：

集成电路衬底；

集成电路衬底的核心区；

集成电路衬底的外围区；

集成电路衬底的单元区，与核心区和外围区隔开并具有比核心区和外围区更大的集成电路器件密度；

在集成电路衬底的外围区和核心区之一中的第一沟槽；

在具有第一侧壁的第一沟槽中的第一绝缘层，其中第一侧壁没有减少集成电路衬底和第一绝缘层之间的应力的层；

在集成电路衬底的单元区中的第二沟槽；

在具有第二侧壁的第二沟槽中的第二绝缘层；和

在第二侧壁上用于减少集成电路衬底和第二绝缘层之间的应力的衬层。

10.根据权利要求9的集成电路，其特征在于，第一沟槽位于第一和第二相邻p型掺杂区之间，并且第二沟槽位于第一和第二相邻n型掺杂区之间。

11.根据权利要求9的集成电路，还包括：

直接形成在第一侧壁上的第一沟槽中的第一介电材料；和

在第二侧壁上用于减少集成电路衬底和第二绝缘层之间的应力的衬层；和

直接在衬层上的第二介电材料。

12.一种形成集成电路的方法，包括：

在集成电路衬底中形成彼此隔开的第一和第二相邻p型掺杂区；

在第一和第二相邻p型掺杂区之间的集成电路衬底中形成沟槽；和

在具有侧壁的沟槽中形成绝缘层，其特征在于，侧壁没有减少集成电路衬底和绝缘层之间的应力的层。

13.根据权利要求12的方法，还包括：

直接在侧壁上形成沟槽中的介电材料。