[发明专利]形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法无效
| 申请号： | 01136893.4 | 申请日： | 2001-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1417908A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 方高瞻;肖建伟;马骁宇;王晓薇;冯小明;刘斌;刘媛媛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤(1)利用高温二氧化硅膜对有源区的压应力，在镓砷/铝镓砷激光二极管的前后腔面处形成非吸收窗口区，两窗口区的中间部分为注入区；(2)对窗口区中的条形以外的区域进行深腐蚀，腐蚀深度接近有源区，然后在相应温度下生长二氧化硅层；(3)对窗口区中的条形内的区域进行微腐蚀，除去欧姆接触层，然后在常温下，生长薄的二氧化硅层；(4)注入区的薄的二氧化硅隔离层在常温下生长；器件的其它工艺与常规器件相同。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 铝镓砷 激光二极管 吸收 窗口 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)利用高温二氧化硅膜对有源区的压应力，在镓砷/铝镓砷激光二极管的前后腔面处形成非吸收窗口区，两窗口区的中间部分为注入区；(2)对窗口区中的条形以外的区域进行深腐蚀，腐蚀深度接近有源区，然后在相应温度下生长二氧化硅层；(3)对窗口区中的条形内的区域进行微腐蚀，除去欧姆接触层，然后在常温下，生长薄的二氧化硅层；(4)注入区的薄的二氧化硅隔离层在常温下生长；器件的其它工艺与常规器件相同。
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