[发明专利]形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法无效
| 申请号: | 01136893.4 | 申请日: | 2001-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN1417908A | 公开(公告)日: | 2003-05-14 |
| 发明(设计)人: | 方高瞻;肖建伟;马骁宇;王晓薇;冯小明;刘斌;刘媛媛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号: | H01S5/16 | 分类号: | H01S5/16 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
| 地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 铝镓砷 激光二极管 吸收 窗口 方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01136893.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可抑制开环系统振荡的变频器控制方法及装置
- 下一篇:阴道内置式避孕海绵





