[发明专利]用聚焦离子束制造的具有超微结构的电子和光子器件无效
| 申请号： | 01136848.9 | 申请日： | 2001-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1352466A | 公开（公告）日： | 2002-06-05 |
| 发明（设计）人： | 河东田隆 | 申请（专利权）人： | 河东田隆 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L29/78;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏,李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及器件,每个器件具有利用聚焦离子束(FIB)形成的超微结构。在许多情况下,该结构具有自立于衬底上的板的形状。尽管根据本发明的器件的典型例子是场效应晶体管和激光二极管,但本发明并不限于这些器件。根据本发明的场效应晶体管和激光二极管具有新的功能或改进的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦 离子束 制造 具有 超微结构 电子 光子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电子和光子器件，具有利用聚焦离子束通过蚀刻形成的超微结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
