[发明专利]用聚焦离子束制造的具有超微结构的电子和光子器件

权利要求书

1.一种电子和光子器件，具有利用聚焦离子束通过蚀刻形成的超微结构。

2.一种电子器件，具有利用聚焦离子束通过蚀刻形成的半导体材料的超微结构。

3.一种场效应晶体管，形成在利用聚焦离子束制造的微板结构上，其中通过所述板结构的厚度、宽度或高度来控制沟道长度或/和沟道宽度。

4.根据权利要求3的场效应晶体管，其中所述板结构在每个侧表面上至少具有一个电极，沟道形成在所述电极之间。

5.一种场效应晶体管，形成在利用聚焦离子束制造的微板结构上，该晶体管还包括：

在所述板结构的一个或两个侧表面上的绝缘膜；

形成在所述板结构的所述至少一个侧表面上的所述绝缘膜上的至少一个电极；

分别形成在所述板结构的上和下表面上的电极；和

在上和下表面上的所述电极之间，沿着所述侧表面形成的至少一个沟道。

6.根据权利要求5的场效应晶体管，其中通过在所述侧表面上的所述至少一个电极上施加的电压，控制所述沟道的宽度。

7.一种光子器件，具有利用聚焦离子束通过蚀刻形成的微板结构。

8.一种激光二极管，具有利用聚焦离子束通过蚀刻形成的微板结构，该微板结构包含至少一个有源区和至少一个覆盖层。

9.根据权利要求8的激光二极管，其中通过所述板结构的宽度限定所述有源区的宽度。

10.一种激光二极管，包括：

利用聚焦离子束通过蚀刻形成的微板结构；

在所述板结构中的至少一个有源区和至少一层覆盖层；

在所述板结构的上和下表面上形成的电极；和

在所述板结构的至少一个侧表面上的电极。

11.根据权利要求10的激光二极管，其中在所述至少一个侧表面上的所述电极与所述有源区和所述覆盖层形成肖特基接触。

12.一种激光二极管，包括：

利用聚焦离子束通过蚀刻形成的微板结构；

在所述板结构中的至少一个有源区和至少一个覆盖层；

在所述板结构的上和下表面上形成的电极；

在所述板结构的至少一个侧表面上的至少一个绝缘膜；和

在所述至少一个绝缘膜上的电极。

13.根据权利要求10、11或12的激光二极管，其中通过在所述至少一个侧表面上的所述至少一个电极上施加的电压，控制从所述激光二极管发射的光强度。

14.一种器件，具有利用聚焦离子束蚀刻分割板结构而形成的结构，该板结构是利用聚焦离子束通过蚀刻形成的。

15.根据权利要求14的器件，其中所述分割结构中的电子被量子化。