[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 01132996.3 | 申请日： | 2001-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1347160A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 赤池康彦;古川和由 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 防止p掺杂剂向有源层扩散,抑制非发光中心的形成,实现高辉度化和稳定化。发光二极管具备由用n型和p型的包层12、14把有源层13夹在中间的III－V族化合物半导体构成的双异质结构造部分;直接键合到p型包层14上的p型GaP衬底20;在上述p型包层14与p型GaP衬底20之间形成的由InGaAIP构成的Zn扩散防止层15,Zn扩散防止层15同时掺入p型掺杂剂的Zn和n型掺杂剂的Si,在设Zn、Si的杂质浓度分别为Na、Nd时,满足Na>Nd,且Nd>2×1017cm－3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征是：具备由用n型和p型的包层把将成为发光层的有源层夹在中间的III-V族化合物半导体构成的双异质结构造部分；由对于来自上述发光层的发射光透明的材料构成且直接键合到上述双异质结构造部分的p型包层一侧上的衬底；在上述p型包层与衬底之间或上述p型包层的一部分内形成的Zn扩散防止层。
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