[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 01132996.3 | 申请日： | 2001-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1347160A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 赤池康彦;古川和由 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光元件，其特征是：具备由用n型和p型的包层把将成为发光层的有源层夹在中间的III-V族化合物半导体构成的双异质结构造部分；由对于来自上述发光层的发射光透明的材料构成且直接键合到上述双异质结构造部分的p型包层一侧上的衬底；在上述p型包层与衬底之间或上述p型包层的一部分内形成的Zn扩散防止层。
2.权利要求1所述的半导体发光元件，其特征是：上述双异质结构造部分由InGaAlP构成，上述衬底是P型GaP。
3.权利要求1所述的半导体发光元件，其特征是：上述Zn扩散防止层，同时掺入p型掺杂剂的Zn和n型掺杂剂的Si，在设Zn、Si的杂质浓度分别为Na、Nd时，满足Na＞Nd，且Nd＞2×1017cm-3的条件。
4.权利要求1所述的半导体发光元件，其特征是：上述Zn扩散防止层的组成是In0.5(Ga1-xAlx)0.5P，而且0＜x＜1。
5.一种半导体发光元件的制造方法，其特征是具备下述工序：在第1衬底上边形成由依次叠层n型包层、作为发光层的有源层和p型包层的III-V族化合物半导体构成的双异质结构造部分的工序；在上述双异质结构造部分的p型包层上边，形成Zn扩散防止层的工序；把对于来自上述发光层的发射光透明的第2衬底直接键合到上述Zn扩散防止层上边的工序；除去上述第1衬底的工序。
6.权利要求5所述的半导体发光元件的制造方法，其特征是：双异质结构造部分由InGaAlP系材料构成，作为第1衬底，使用对InGaAlP系材料晶格匹配的GaAs，作为第2衬底使用p型GaP。
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