[发明专利]一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法无效
| 申请号： | 01132287.X | 申请日： | 2001-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1135588C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;王曦;柳襄怀;李琼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法，属于场发射显示器领域。其特点是移植法制备的CNT薄膜阴极采用热处理工艺与等离子体积表面处理工艺；而直接生长法制备的CNT薄膜阴极仅采用等离子体表面处理工艺，等离子体表面处理的工艺参数是功率密度0.1-3W/cm3，处理时间5-60分钟，采用H2或含氢的化合物，经本发明提供的方法处理，可使CNT薄膜的电流密度提高3倍，阈值强度降低3倍多，电子发射点密度可提高3个数量级以上且均匀性明显提高，对移植法生长的薄膜阴极通过二种处理工艺有机结合，全面提高CNT薄膜阴极的场发射性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 纳米 薄膜 致电 发射 性能 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法，其特征在于移植法制备的CNT薄膜阴极，采用热处理工艺与等离子体表面处理工艺；所述的热处理工艺的温度为300-700℃，O2-N2或H2-N2气氛中进行；所述的等离子表面处理工艺功率密度0.1-3W/cm3；等离子体鞘壳电压100-500V；工作气压0.1-5乇；处理时间5-60分钟；采用的气体为H2或为气态的含氢化合物，如氨、甲烷、乙烯、乙炔中一种流量为10-100毫升/分钟。
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