[发明专利]提高多路输出电源负载不平衡度的电路有效
申请号: | 01132111.3 | 申请日: | 2001-10-30 |
公开(公告)号: | CN1417933A | 公开(公告)日: | 2003-05-14 |
发明(设计)人: | 高晓光 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴通讯股份有限公司上海第二研究所 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 20023*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 提高多路输出电源负载不平衡度的电路,涉及开关电源领域,技术方案是输入电压正极与第一电感L1、变压器原边、MOSFET、输入电压负极组成串联回路,第一电容C1跨接在第一电感L1与变压器原边的连接点和输入电压负极之间,MOSFET的漏极与变压器串联,MOSFET源极与输入负联接,第一电容C1的负极与输入电压负极相连;变压器副边有两个并绕的绕组,将输出分为两个支路,即支路I和支路II;控制电路的输入取自支路I的输出电压正、负极,控制电路产生的驱动脉冲,作为变压器原边MOSFET的驱动信号与MOSFET的栅极相连,本发明从原理上减小负载不平衡度。 | ||
搜索关键词: | 提高 输出 电源 负载 不平衡 电路 | ||
【主权项】:
1、提高多路输出电源负载不平衡度的电路,其特征在于:输入电压正极与第一电感L1、变压器原边、MOSFET、输入电压负极组成串联回路,第一电容C1跨接在第一电感L1与变压器原边的连接点和输入电压负极之间,MOSFET的漏极与变压器串联,MOSFET源极与输入负联接,第一电容C1的负极与输入电压负极相连;变压器副边有两个并绕的绕组,即绕组I和绕组II,将输出分为两个支路,即支路I和支路II;支路I是这样构成的:绕组I与第二电感L2、第二电容C2、第一二极管VD1组成串联回路;第二可控电子开关VT2与由第二电感L2、第二电容C2组成的串联支路并联,漏极与第二电感L2相连,栅极通过第二电阻R2接在与第一电感相连的变压器原边一端的非同名端,即用于整流的单向导电的第一二极管VD1的负极;第一电阻R1与第二电容C2并联;第二电容C2的负极与第一二极管VD1的正极、第二可控电子开关VT2的源极相连;支路II是这样构成的:绕组II与第三电感L2’、第三电容C2’、第二二极管VD1’组成串联回路;第三可控电子开关VT2’与由第三电感L2’、第三电容C2’组成的串联支路并联,漏极与第三电感L2’相连,栅极通过第四电阻R2’接与第一电感相连的变压器原边一端的非同名端,即用于整流的单向导电的第二二极管VD1’的负极;第三电阻R1’与第三电容C2’并联;第三电容C2’的负极与第二二极管VD1’的正极、第三可控电子开关VT2’的源极相连;第二电感L2与第三电感L2’是耦合绕制的;控制电路的输入取自支路I的输出电压正、负极,控制电路产生的驱动脉冲,作为变压器原边MOSFET的驱动信号与MOSFET的栅极相连。
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