[发明专利]超薄硅油膜的制备方法无效
| 申请号： | 01124684.7 | 申请日： | 2001-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1400234A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 刘维民;周峰;李斌;赵国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L83/04 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机物超薄膜的制备方法。本发明以官能团化的硅油为成膜材料，制备交联/端接枝的超薄硅油膜。制备过程简易，所制备的硅油膜具有优异的润滑效果，为解决微系统的摩擦和磨损问题提供了新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 硅油 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅油薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：[1]底材的预处理用两种方法对单晶硅基底进行处理：将单晶硅基底于浓H2SO4和30％H2O2的混合溶液中处理得到羟基化硅基底；利用含乙烯基硅烷偶联剂在羟基化硅片上的自组装得到表面乙烯基官能团化的单晶硅基底；[2]硅油膜的制备将羟基化的单晶硅基底或乙烯基封端的单晶硅基底浸入重量百分比浓度为0.1～1％的硅油/正戊烷溶液中，溶液中还包含与硅油重量比为0.1～1％的引发剂或催化剂，并固定在样品台上，减压蒸发溶剂，直至溶液液面低于基底表面；[3]热处理将已均匀成膜的基底在高纯氮气保护下于100～300℃进行热处理，得到交联/端接枝的硅油膜；[4]洗涤将交联/端接枝的硅油膜用良溶剂提取洗去未交联或未与基底键合的硅油。
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