[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 01121686.7 | 申请日： | 2001-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1325137A | 公开（公告）日： | 2001-12-05 |
| 发明（设计）人： | 横井哲哉;池水守彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/58;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法,它通过使用在芯片的电极表面上形成的突点与布线表面接触的方法可获得与作为插件的绝缘薄膜基板更高的连接性能,同时,将形成于芯片的连接电极上的突点贯穿形成于绝缘薄膜基板上的两面或三层以上的布线,可同时达到与布线层的相互连接。采用形成于芯片1的电极表面上的尖锐状或经过切口加工的突点15,一边破坏形成于布线表面上的氧化被膜及污物一边与作为插件的绝缘薄膜基板5的布线层6接触。通过暴露出材料的新生面可获得性能更高的连接性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、半导体器件，它备有：具有多个焊盘的半导体元件，结合到上述焊盘上的突点，以及由具有布线层的绝缘薄膜基板构成的插件，其特征为，上述突点具有键合时可容易变形的结构，且以倒装片的形式连接到上述布线层上。
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