[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 01121686.7 | 申请日: | 2001-03-14 |
公开(公告)号: | CN1325137A | 公开(公告)日: | 2001-12-05 |
发明(设计)人: | 横井哲哉;池水守彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/58;H01L21/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1、半导体器件,它备有:
具有多个焊盘的半导体元件,
结合到上述焊盘上的突点,以及
由具有布线层的绝缘薄膜基板构成的插件,其特征为,
上述突点具有键合时可容易变形的结构,且以倒装片的形式连接到上述布线层上。
2、如权利要求1所述半导体器件,其特征在于,上述突点在其前端具有尖锐的颈部。
3、如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,上述突点在颈部的表面部分具有交叉槽。
4、如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,上述突点在表面部的周边具有向外延伸的延伸部。
5、如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,上述突点的前端嵌入上述布线层内。
6、如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,上述突点的槽嵌入上述布线层内。
7、如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,上述突点由柱状突点构成。
8、如权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,上述突点的前端,穿透到上述绝缘薄膜基板的背面。
9、如权利要求8所述的半导体器件,其特征在于,穿透上述绝缘薄膜基板背面的上述突点的前端与形成于上述背面的布线层电连接。
10、如权利要求1所述半导体器件,其特征在于,上述突点使用金,焊锡,铜,铝等材料之一。
11、如权利要求1所述半导体器件,其特征在于,形成于上述绝缘薄膜基板上的布线层,采用铝布线,铜布线,金布线,银布线,导电膏膜等构成的组
12、半导体器件的制造方法,其特征在于,它具有以下工序:
在半导体元件的主面上形成多个焊盘的工序,
将具有在键合时可容易变形的结构的突点结合到上述焊盘上的工序,
准备至少在一个表面上具有多个布线层的绝缘薄膜基板构成的插件,
将上述突点以倒装片的方式连接到上述布线层上的工序。
13、如权利要求12所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,上述突点在形成时其前端具有尖锐的颈部。
14、半导体器件的制造方法,其特征在于,它具有以下工序:
在半导体元件的主面上形成多个焊盘的工序,
将具有颈部的突点结合到上述焊盘上的工序,所述颈部具有表面部,
准备由在至少一个表面上具有多个布线层的绝缘薄膜基板构成的插件的工序,
将上述突点以倒装片的形式连接到上述布线层上的工序。
15、如权利要求14所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在上述表面部分上形成交叉的槽。
16、如权利要求14所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,上述突点以在其表面部的周边向外延伸的延伸部的方式形成。
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