[发明专利]具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构及其制造方法

摘要

一种具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构及其制造方法，利用高温化学气相沉积方式在氮化物唯读记忆胞内作为浮置闸极的ONO结构上沉积一层氧化层，作为ONO结构中氮化硅层的保护层，将电荷有效捕陷于氮化硅层中，防止氮化硅层中的电荷从多晶硅层与氮化硅层之间的接口流失，从而加强记忆体的可靠度。

主权项

1、一种具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构，其特征是：在已完成前段制程的半导体基底上多数个氧化物一氮化物一氧化物的结构，以作为浮置闸极；在该氧化物一氮化物一氧化物的结构之间的半导体基底上设置有多数个埋层离子扩散区域；顶氧化层覆盖于该氧化物一氮化物一氧化物的结构及该埋层离子扩散区域的表面；多数个埋层氧化层位于该埋层离子扩散区域上；多数条多晶硅字元线形成于该顶氧化层上方。