[发明专利]具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构及其制造方法

权利要求书

1、一种具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构，其特征是：在已完成前段制程的半导体基底上多数个氧化物一氮化物一氧化物的结构，以作为浮置闸极；在该氧化物一氮化物一氧化物的结构之间的半导体基底上设置有多数个埋层离子扩散区域；顶氧化层覆盖于该氧化物一氮化物一氧化物的结构及该埋层离子扩散区域的表面；多数个埋层氧化层位于该埋层离子扩散区域上；多数条多晶硅字元线形成于该顶氧化层上方。

2、根据权利要求1所述的氮化物唯读记忆胞结构，其特征是：该氧化物一氮化物一氧化物的结构由下而上依序由二氧化硅层、氮化硅层及二氧化硅层堆叠而成。

3、根据权利要求2所述的氮化物唯读记忆胞结构，其特征是：该最底层的二氧化硅层经氮化处理，形成氮化的二氧化硅层。

4、根据权利要求1所述的氮化物唯读记忆胞结构，其特征是：该埋层离子扩散区域为N型离子掺杂区。

5、根据权利要求1所述的氮化物唯读记忆胞结构，其特征是：该顶氧化层是利用高温化学气相沉积法所沉积而成。

6、根据权利要求1所述的氮化物唯读记忆胞结构，其特征是：该顶氧化层的厚度介于20-100之间。

7、一种具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构的制造方法，其特征是：它包括下列步骤：

(1)提供已完成前段制程的半导体基底；

(2)利用微影蚀刻制程，于该半导体基底上形成多数个氧化物一氮化物一氧化物的结构，以作为浮置闸极；

(3)在该氧化物一氮化物一氧化物的结构之间的半导体基底上进行离子植入，以形成多数个埋层离子扩散区域；

(4)沉积一顶氧化层，覆盖于该氧化物一氮化物一氧化物的结构及该埋层埋层离子扩散区域的表面；

(5)于该埋层离子扩散区域上形成有埋层氧化层；

(6)在该顶氧化层上方形成有多数条多晶硅字元线。

8、根据权利要求7所述的具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构的制造方法，其特征是：该氧化物一氮化物一氧化物的结构由下而上依序由二氧化硅层、氮化硅层及二氧化硅层堆叠而成。

9、根据权利要求8所述的具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构的制造方法，其特征是：该最底层的二氧化硅层经氮化处理，形成氮化的二氧化硅层。

10、根据权利要求7所述的具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构的制造方法，其特征是：该埋层离子扩散区域为N型离子掺杂区。

11、根据权利要求7所述的具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构的制造方法，其特征是：该顶氧化层是利用高温化学气相沉积法所沉积而成。

12、根据权利要求7所述的具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构的制造方法，其特征是：该顶氧化层的厚度介于20-100之间。