[发明专利]具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法无效
| 申请号： | 01120076.6 | 申请日： | 2001-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1335522A | 公开（公告）日： | 2002-02-13 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;任晓敏;黄永清 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/26;G02B6/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱黎光,张占榜 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有非平行腔结构的集成半导体光波与光电子器件的制备方法,特别涉及一种在半导体外延层上制备楔形结构的方法。本发明其特征在于在外延层表面形成引导层以及掩膜层,在需要形成的楔形结构顶端的相对位置除去掩膜层,然后置于腐蚀液中,实现需要的楔形结构后从腐蚀液中取出。楔形结构的倾角可以通过改变腐蚀液对引导层与外延层材料的腐蚀速率比进行调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点,势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平行 结构 半导体 光波 光电子 器件 实现 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法，其特征在于在外延层表面形成引导层以及掩膜层，在需要形成的楔形结构顶端的相对位置除去掩膜层，然后置于腐蚀液中，实现需要的楔形结构后从腐蚀液中取出，再通过蒸发、外延等方法继续生长其他分层结构。
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