[发明专利]具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法无效
| 申请号： | 01120076.6 | 申请日： | 2001-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1335522A | 公开（公告）日： | 2002-02-13 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;任晓敏;黄永清 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/26;G02B6/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱黎光,张占榜 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 平行 结构 半导体 光波 光电子 器件 实现 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法，其特征在于在外延层表面形成引导层以及掩膜层，在需要形成的楔形结构顶端的相对位置除去掩膜层，然后置于腐蚀液中，实现需要的楔形结构后从腐蚀液中取出，再通过蒸发、外延等方法继续生长其他分层结构。
2、根据权利要求1所述的具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法，其特征在于腐蚀液选用柠檬酸/H2O2，NH4OH/H2O2，NH4F/HF或HF/CrO3腐蚀液。
3、根据权利要求2所述的具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法，其特征在于优选HF/CrO3腐蚀液。
4、根据权利要求1所述的具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法，其特征在于可以通过改变腐蚀液的组分来达到改变腐蚀液对引导层与外延层材料的腐蚀比，从而实现不同倾角的楔形结构。
5、根据权利要求1所述的具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法，其特征在于引导层通过外延生长形成或通过蒸发、溅射和涂敷方式形成。
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