[发明专利]电阻性交点存储器单元阵列的等电位读出法有效
| 申请号： | 01117937.6 | 申请日： | 2001-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1327238A | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | L·T·特兰;F·A·珀纳;J·A·布鲁格 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C7/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 对一个磁随机存取存储器(“MRAM”)器件(8)的一个存储器单元(12)执行读出操作时,一个相等电位可被施加到一根选定的位线和未选的各位线。在可供选择的比较方案中,一个相等电位可被施加到选定的位线和未选的各字线。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 性交 存储器 单元 阵列 电位 读出 | ||
【主权项】：
1.一种数据存储器件(8)，包括：存储器单元(12)的一种电阻性交点阵列(10)；沿阵列(10)各行延伸的多个字线(14)；沿阵列(10)各列延伸的多个位线(16)；以及一种电路(20)，当对选定存储器单元(12)执行读出操作时，该电路(20)用于读出选定存储器单元(12)的电阻状态，该电路(20)施加第一电位到选定的位线，施加第二电位到选定的字线，施加第三电位到未选各字线和各位线的子集，第三电位等于第一电位。
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