[发明专利]多芯片半导体器件和存储卡无效

专利信息
申请号: 01116669.X 申请日: 2001-04-20
公开(公告)号: CN1318866A 公开(公告)日: 2001-10-24
发明(设计)人: 佐佐木圭一;作井康司 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L25/065
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜日新
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 对同样构成的多个半导体芯片进行叠层,构成一种多芯片半导体器件。在上述各半导体芯片内设置有自由可选电路。在该自由可选电路中设置了相当于各芯片叠层级数的熔丝,通过切断该熔丝,单独接收各芯片的芯片控制信号。
搜索关键词: 芯片 半导体器件 存储
【主权项】:
1.一种多芯片半导体器件,具有许多个半导体芯片,其特征在于:上述多个半导体芯片分别包括:集成了元件的半导体衬底;连接插头,形成在穿透上述半导体衬底的穿通孔内;以及熔丝部分,设置在上述连接插头和凸块形成区之间,通过有选择地将其切断,对上述连接插头和凸块进行电连接和分离;通过凸块来连接上述各半导体芯片的连接插头,对上述多个半导体芯片进行叠层安装。
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